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- coucheuse verticale à contrôle programmable
- Transfert automatique de bobine à bobine Film Machine d’enduit avec étuve pour électrodes de batteries
- Laboratoire Film automatique grand Coater avec vide Chuck et réglable de racle
- Machine à enduire de matrice de fente de table de laboratoire pour le revêtement de couche mince de haute précision
- Machine de revêtement intermittente d'électrode de batterie pour la ligne de production
- Cible Si monocristallin, dopé P (100) 3" x 4,0 mm, non poli-TG-SiPa76D40CN
- Cible en monocristal de Si, type N, non dopé, (100) ori., 3'' dia x 6,0 mm, meulé fin, R1000 ohm.cm-TG-SiU76D60CN
- Cible ZnS, 99,99 %, 4 po de diamètre x 1/8 po avec plaque de support en cuivre
- Cible monocristalline Si, type N, non dopée 4 "x0,25", non polie R: 1000 ohm.cm- TG-GaN15D30CN
- Cible PbS avec support en cuivre et plaque de revêtement, pureté : 99,99 %
- Monocristal de MgO pour évaporation, 5x5x5 mm tel que coupé
- Monocristal de MgF2 pour évaporation, unité 2,8-6 mm : gramme
- Cible LiNiCoMnO2 pour cathode de batterie à couche mince
- Cible LiMn2O4 pour cathode de batterie à couche mince
- Cible LiFePO4 pour cathode de batterie à couche mince
- GaAs monocristal pour évaporation, 5x5x5 mm tel que coupé
- Monocristal de CdWO4 pour évaporation, 5x5x5 mm tel que coupé
- CaF2 monocristal pour évaporation, 5x5x5 mm tel que coupé
- Cible GaN, 99.99% 15mmx3.0mm,TG-GaN15D30CN
- Cible en céramique conductrice (1" Dx 0,3 mm t ) Li1.5Al0.5Ge1.5P3O12
- Cible BiFeO3, 3 "de diamètre x 0,125" d'épaisseur, liaison à la plaque de support en cuivre (Cu) (0,111 "d'épaisseur)
- Monocristal Al2O3 pour évaporation, pureté 99,99%, 5x5x5 mm tel que coupé
- Cible Al2O3, pureté : 99,99 %, 6,9"x8,9"x0,25" d'épaisseur, Target-Al2O3-172-222-0635CN
- Cible Ba0.5Sr0.5TiO3, 99.99%
- Cible Zr, 99,99 %, 8,9" x6,9" x0,25", TG-Zr-222-172-0635CN
- Cible Cu(1%Ga), pureté : 99,99 % 4" dia. x0,25"
- Cible Cd, pureté : 99,999 % 5,1 cm de diamètre x 1/8" avec plaque de support en cuivre.
- Cible en acier inoxydable de haute pureté, 2" dia.x 0,3 mm
- Cible Cu(9)In(11), pureté : 99,99 %, 4" dia.x 0,125"
- Machine de revêtement d'évaporation thermique sous vide à température contrôlée de précision de laboratoire
- Réchauffeur de machine de revêtement de pulvérisation de plasma à 3 cibles rotatives (500C) comprenant 3 cibles
- coucheuse compacte avec coulée sous vide (8 "lx 14" l), applicateur de film et couvercle de séchoir 100ºc en option
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- enduiseur plongeant multi-navires de bureau
- système de revêtement par transfert rouleau à rouleau (largeur max. 300 mm) avec four de séchage pour électrodes
- coucheuse par immersion contrôlée par plc (1-200 mm / min) pour les grands substrats jusqu'à 10 "x12"
- Batterie micrométrique réglable Film applicateur - 100 mm
- Revêtement de pulvérisation de carbone par évaporation thermique d'ions magnétron pour la préparation d'échantillons SEM
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