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coucheuse verticale à contrôle programmable
Transfert automatique de bobine à bobine Film Machine d’enduit avec étuve pour électrodes de batteries
Laboratoire Film automatique grand Coater avec vide Chuck et réglable de racle
Machine à enduire de matrice de fente de table de laboratoire pour le revêtement de couche mince de haute précision
Machine de revêtement intermittente d'électrode de batterie pour la ligne de production
Machine de revêtement par immersion à cuve unique de bureau de laboratoire
Cible Si monocristallin, dopé P (100) 3" x 4,0 mm, non poli-TG-SiPa76D40CN
Cible en monocristal de Si, type N, non dopé, (100) ori., 3'' dia x 6,0 mm, meulé fin, R1000 ohm.cm-TG-SiU76D60CN
Cible ZnS, 99,99 %, 4 po de diamètre x 1/8 po avec plaque de support en cuivre
Cible monocristalline Si, type N, non dopée 4 "x0,25", non polie R: 1000 ohm.cm- TG-GaN15D30CN
Cible PbS avec support en cuivre et plaque de revêtement, pureté : 99,99 %
Monocristal de MgO pour évaporation, 5x5x5 mm tel que coupé
Monocristal de MgF2 pour évaporation, unité 2,8-6 mm : gramme
Cible LiNiCoMnO2 pour cathode de batterie à couche mince
Cible LiMn2O4 pour cathode de batterie à couche mince
Cible LiFePO4 pour cathode de batterie à couche mince
GaAs monocristal pour évaporation, 5x5x5 mm tel que coupé
Monocristal de CdWO4 pour évaporation, 5x5x5 mm tel que coupé
CaF2 monocristal pour évaporation, 5x5x5 mm tel que coupé
Cible GaN, 99.99% 15mmx3.0mm，TG-GaN15D30CN
Cible en céramique conductrice (1" Dx 0,3 mm t ) Li1.5Al0.5Ge1.5P3O12
Cible BiFeO3, 3 "de diamètre x 0,125" d'épaisseur, liaison à la plaque de support en cuivre (Cu) (0,111 "d'épaisseur)
Monocristal Al2O3 pour évaporation, pureté 99,99%, 5x5x5 mm tel que coupé
Cible Al2O3, pureté : 99,99 %, 6,9"x8,9"x0,25" d'épaisseur, Target-Al2O3-172-222-0635CN
Cible Ba0.5Sr0.5TiO3, 99.99%
Cible Zr, 99,99 %, 8,9" x6,9" x0,25", TG-Zr-222-172-0635CN
Cible Cu(1%Ga), pureté : 99,99 % 4" dia. x0,25"
Cible Cd, pureté : 99,999 % 5,1 cm de diamètre x 1/8" avec plaque de support en cuivre.
Cible en acier inoxydable de haute pureté, 2" dia.x 0,3 mm
Cible Cu(9)In(11), pureté : 99,99 %, 4" dia.x 0,125"
Machine de revêtement d'évaporation thermique sous vide à température contrôlée de précision de laboratoire
Réchauffeur de machine de revêtement de pulvérisation de plasma à 3 cibles rotatives (500C) comprenant 3 cibles
coucheuse compacte avec coulée sous vide (8 "lx 14" l), applicateur de film et couvercle de séchoir 100ºc en option
enduiseur par immersion programmable de gamme micron (1-500 um / sec) avec four de séchage jusqu'à 100 ° c
Vernisseuse programmable à 5 positions avec vitesse 1-200 mm / min et chambre de chauffe 100 ° c max.
coucheuse par immersion (1-200 mm / min) avec chambre de température de 124 l et contrôleur à écran tactile pour grand substrat jusqu'à 16 "x 9"
centrifugeuse à mandrin sous vide programmable (500-6000 tr / min, plaquette 8 "max) avec couvercle chauffant en option
centrifugeuse compacte (max. 8000 tr / min, plaquette de 4 "max.) avec 3 jeux de mandrins à vide et accessoires complets
centrifugeuse économique de bureau (max. 8000 tr / min) avec accessoires complets
Applicateur de film humide réglable avec micromètre à affichage numérique
enduiseur plongeant multi-navires de bureau
système de revêtement par transfert rouleau à rouleau (largeur max. 300 mm) avec four de séchage pour électrodes

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